NF<sub>3</sub>ガスプラズマによるSiCのエッチング-反応容器の形状,結晶性,NF<sub>3</sub>圧力を因子として-

山田裕久; 野々山智樹; 古高佑季; 稲葉稔; 田坂明政

文献

J-GLOBAL ID：200902247339031980 整理番号：09A0167223

NF₃ガスプラズマによるSiCのエッチング-反応容器の形状,結晶性,NF₃圧力を因子として-

Smoothing Poly- and Single-crystalline SiC Surfaces with Reactive Ion Etching using NF₃ Gas Plasma

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巻： 49 号： 4 ページ： 80-85 発行年： 2009年01月31日
JST資料番号： F0617A ISSN： 0036-8172 CODEN： DDRKA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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固体デバイス製造技術一般

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NF3ガスプラズマによるSiCのエッチング-反応容器の形状,結晶性,NF3圧力を因子として-

NF₃ガスプラズマによるSiCのエッチング-反応容器の形状,結晶性,NF₃圧力を因子として-