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J-GLOBAL ID：200902261372077972   整理番号：08A0424333

(775)B InP基板上に作製したInGaAs量子細線のTEM観察と成長モード 2

著者 (5件)： 毛利如良 (愛大 大学院) ,  今津晋二郎 (愛大 大学院) ,  松木豊和 (愛大 大学院) ,  笹畑圭史 (大阪大 大学院) ,  下村哲 (愛大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 1  ページ： 357  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  ヒ化物 ,  *被覆層 ,  *量子細線 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ファセット ,  表面テラス ,  リン化インジウム ,  基板 ,  クラッド層 ,  テラス
準シソーラス用語： 障壁層 ,  TEM【顕微鏡】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  作製 ,  InGaAs ,  量子細線 ,  TEM観察 ,  成長モード