文献

J-GLOBAL ID：200902276062359380   整理番号：08A0446170

磁気センサを用いた銅めっき電流分布無侵襲測定法の検証実験

Experimental Verification of Nondestructive Measurement of Copper Electroplating Current Distribution Using Magnetic Sensors

著者 (2件)： 岸本喜直 (東京工大 大学院情報理工学研究科) ,  天谷賢治 (東京工大 大学院情報理工学研究科)
資料名： 日本機械学会論文集 A編  (Transactions of the Japan Society of Mechanical Engineers. Series A)
巻： 74  号： 740  ページ： 491-498  発行年： 2008年04月25日 
JST資料番号： F0227B  ISSN： 0387-5008  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究ではLSI製造において一般的に用いられている電気銅めっきを対象として,めっき槽外で磁気センサを利用して得られる磁場のデータからめっき槽内の電場を推定することで,めっき膜の成長速度を無侵襲で測定する手法を開発した。さらに,実際に銅めっき装置による検証実験を行い,めっき膜厚分布および電位分布について推定値と実測値を比較し,本手法の有効性を示した。また,本研究では任意形状のめっき装置を対象として,有限要素法および境界要素法による銅めっき電流分布の無侵襲測定法を開発した。逆解析にはTikhonovの適切化法を用い,Tikhonovの適切化パラメータの決定法として,電流が逆流しない条件を提案した。(著者抄録)

シソーラス用語： *電気めっき ,  *銅めっき ,  めっき皮膜 ,  *非破壊測定 ,  *電流分布 ,  有限要素法 ,  境界要素法 ,  電場 ,  めっき設備 ,  逆問題 ,  検証 ,  磁気センサ ,  LSI【IC】

分類 (1件)： 電気めっき  (WC08023B)

引用文献 (9件)：

• AOKI, S. Boundary Element Simulation of Electroplating on Silicon Wafer. The Journal of the Surface Finishing Society of Japan. 2000, 51, 4, 425-430
• AOKI, S. Optimization of Electroplating on Silicon Wafer. Transactions of the Japan Society of Mechanical Engineers, Series A. 2002, 68, 666, 133-138
• HODAI, M. Cu Interconnect Plating System. Ebara Engineering Review. 2005, 207, 30-33
• KURIYAMA, F. Bump Plating System. Ebara Engineering Review. 2005, 207, 34-38
• ABE, K. Monitoring of Electroplating Thickness on Silicon Wafer using Inverse Analysis. Proceedings of the 14th Computational Mechanics Conference, 2001-11. 2001, 195-196

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁気センサ ,  銅めっき ,  電流分布 ,  無侵襲測定 ,  検証実験