特許

J-GLOBAL ID：200903043592119214

多孔質炭素層に内包された触媒及びその製造方法

発明者： 池田 茂 ,  桑畑 進 ,  鳥本 司
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学 ,  国立大学法人名古屋大学 ,  財団法人大阪産業振興機構
代理人 (3件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  言上 惠一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2007061207
公開番号（公開出願番号）：WO2007-142148
出願日： 2007年06月01日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

本発明は、触媒活性が高く維持され、さらに分離・回収が容易である触媒の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を解決するため、本発明は、触媒粒子を含むコア部と、前記コア部を覆うように形成された多孔質炭素層とを含む触媒を製造するにあたり、前記コア部を覆うようにシリカ含有層を形成し、前記シリカ含有層を覆うように多孔質シリカ含有層を形成し、その後前記多孔質シリカ含有層の少なくとも一部に炭素源を充填した上で、前記炭素源を炭化することによって、前記多孔質炭素層を形成し、前記シリカ含有層を除去する。

請求項（抜粋）：

触媒粒子を含むコア部と、前記コア部を覆うように形成された多孔質炭素層とを含む触媒を製造する方法であって、 前記コア部を覆うようにシリカ含有層を形成する第一工程と、 前記シリカ含有層を覆うように前記多孔質炭素層を形成する第二工程と、 前記シリカ含有層を除去する第三工程と、 を包含する触媒製造方法。

IPC (5件)：

B01J 33/00 ,  B01J 23/52 ,  B01J 23/46 ,  B01J 23/44 ,  B01J 23/42

FI (6件)：

B01J33/00 C ,  B01J23/52 Z ,  B01J23/46 311Z ,  B01J23/46 301Z ,  B01J23/44 Z ,  B01J23/42 Z

Fターム (34件)：

4G169AA02 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169BA08A ,  4G169BA08B ,  4G169BA22A ,  4G169BA22B ,  4G169BB08B ,  4G169BC33A ,  4G169BC33B ,  4G169BC70A ,  4G169BC70B ,  4G169BC71A ,  4G169BC71B ,  4G169BC72A ,  4G169BC72B ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169BE32A ,  4G169BE32B ,  4G169CB02 ,  4G169CB65 ,  4G169CB77 ,  4G169DA03 ,  4G169EA04X ,  4G169EB18Y ,  4G169EC04Y ,  4G169EC14Y ,  4G169EC28 ,  4G169EE01 ,  4G169FB08 ,  4G169FB23 ,  4G169FB36 ,  4G169FB49

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 触媒ナノ粒子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-089691   出願人：株式会社東北テクノアーチ