特許
J-GLOBAL ID:200903053637709560

分子細線パターンの作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 野村 健一 ,  間山 世津子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-061782
公開番号(公開出願番号):特開2004-268192
出願日: 2003年03月07日
公開日(公表日): 2004年09月30日
要約:
【課題】鋳型となるパターンをリソグラフィ技術に基づく基板加工技術により予め形成する必要なしに、分子サイズの極細の線幅を有する分子細線パターンを作製する手段を提供する。【解決手段】以下の(1)及び(2)の工程を含むことを特徴とする分子細線パターンの作製方法。(1)鎖状又はチューブ状分子を伸長した状態で転写元基板上に固定する工程(2)転写元基板の分子固定面を、転写先基板と密着させる工程【選択図】 図1
請求項(抜粋):
以下の(1)及び(2)の工程を含むことを特徴とする分子細線パターンの作製方法。 (1)鎖状又はチューブ状分子を伸長した状態で転写元基板上に固定する工程 (2)転写元基板の分子固定面を、転写先基板と密着させる工程
IPC (2件):
B82B3/00 ,  H01L29/06
FI (2件):
B82B3/00 ,  H01L29/06 601N
引用特許:
審査官引用 (4件)
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