特許

J-GLOBAL ID：200903054769104575

アゾベンゼン誘導体化合物及びそれからなる自己組織化膜

発明者： 秋山 陽久 ,  玉田 薫 ,  長沢 順一 ,  安部 浩司 ,  玉置 敬
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203664
公開番号（公開出願番号）：特開2002-020368
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】新規なアゾベンゼン誘導体化合物及びそれを用いた自己組織化膜の提供。【解決手段】下記一般式 (1)(式中、R1は、炭素数8〜1の直鎖、環状又は分岐鎖を有するアルキル基、フルオロアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エステル基、アルコキシル基、フェニル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。nは18≧n≧2の範囲の整数を表す。R2〜R9のうち少なくとも1つ以上はアルキル基、又はフェニル基を表す。他は水素を表す。R10はチオール、もしくはアルキルジスルフィドを表す)で表されることを特徴とするアゾベンゼン誘導体化合物。及び前記記載のアゾベンゼン誘導体化合物からなる単分子膜であることを特徴とする自己組織化膜。【化1】 (1)

請求項（抜粋）：

一般式(1)【化1】 (1)(式中、R1は、炭素数8〜1の直鎖、環状又は分岐鎖を有するアルキル基、フルオロアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エステル基、アルコキシル基、フェニル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。nは18≧n≧2の範囲の整数を表す。R2〜R9のうち少なくとも1つ以上はアルキル基、又はフェニル基を表し、その他は水素原子を表す。R10はチオール、もしくはアルキルジスルフィドを表す。)で表されることを特徴とするアゾベンゼン誘導体化合物。

Fターム (4件)：

4H006AA01 ,  4H006AB84 ,  4H006TA04 ,  4H006TB32

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ジスルフィド誘導体化合物及びそれからなる自己組織化膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072906   出願人：工業技術院長
• 含硫黄有機分子自己組織化膜の動的接触角の測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-075133   出願人：工業技術院長