特許
J-GLOBAL ID：200903099841082747

半導体スーパーアトムとその結合体の作製方法

発明者：
小口 信行

小口 信行 について

, 
塚本 史郎

塚本 史郎 について


出願人/特許権者：
科学技術庁金属材料技術研究所長

科学技術庁金属材料技術研究所長 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-157613
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053014
出願日： 2000年05月29日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 コアとなる直径10nm程度の半導体ナノ構造を形成し、単原子数を制御した不純物原子をコア部分のみに添加することのできる、新しい半導体スーパーアトムおよびその結合体の作製方法を提供する。【解決手段】 コアとなる半導体ナノ構造の形成のために液滴エピタキシーを用い、且つ、半導体ナノ構造への不純物原子の添加のために走査型トンネル顕微鏡を用いて、原子数を単原子精度で制御した不純物原子をコアにのみ選択的に取り込む。
請求項（抜粋）：
コアとなる半導体ナノ構造の形成のために液滴エピタキシーを用い、且つ、半導体ナノ構造への不純物原子の添加のために走査型トンネル顕微鏡を用いて、原子数を単原子精度で制御した不純物原子をコアにのみ選択的に取り込むことを特徴とする半導体スーパーアトムの作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/208 ,  C30B 19/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/06
FI (4件)：
H01L 21/208 Z ,  C30B 19/00 Z ,  H01L 21/203 M ,  H01L 29/06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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