位置制御された液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法、量子コンピュータにおける量子ビット素子構造および量子相関ゲート素子構造

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上島淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124378
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315654
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】GaN、InNあるいはAlNやInGaN、AlGaNなどの窒化物半導体の量子ドットを位置制御して形成することができるようにする。【解決手段】位置制御された液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法であって、金属原料の表面エネルギーよりも低い表面エネルギーを持つ該基板の表面に、外部場を加えることによって該基板の該表面状態を変調して該表面を改質する第一の処理と、上記第一の処理により上記表面を改質された上記基板に上記金属原料を供給し、上記表面の改質された場所に結晶成長により金属液滴を形成する第二の処理と、上記第二の処理により上記金属液滴を形成された上記基板上に窒素ソースを供給し、上記金属液滴を窒化して窒化物半導体の量子ドットを形成する第三の処理とを有する。

請求項（抜粋）：

位置制御された液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法であって、金属原料の表面エネルギーよりも低い表面エネルギーを持つ該基板の表面に、外部場を加えることによって該基板の該表面状態を変調して該表面を改質する第一の処理と、前記第一の処理により前記表面を改質された前記基板に前記金属原料を供給し、前記表面の改質された場所に結晶成長により金属液滴を形成する第二の処理と、前記第二の処理により前記金属液滴を形成された前記基板上に窒素ソースを供給し、前記金属液滴を窒化して窒化物半導体の量子ドットを形成する第三の処理とを有する位置制御された液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/203 , H01L 21/208

FI (2件)：

H01L 21/203 Z , H01L 21/208 Z

Fターム (17件)：

5F053AA50 , 5F053DD20 , 5F053FF10 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053HH05 , 5F053LL10 , 5F053PP14 , 5F053RR20 , 5F103AA04 , 5F103AA05 , 5F103DD28 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103LL17 , 5F103PP04 , 5F103PP20

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体量子井戸箱の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-086050 出願人：光技術研究開発株式会社, 日本板硝子株式会社
特開平4-179220
特開平4-245620

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審査官引用 (3件)

半導体量子井戸箱の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-086050 出願人：光技術研究開発株式会社, 日本板硝子株式会社
特開平4-179220
特開平4-245620

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