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J-GLOBAL ID：200902198783846663   整理番号：01A0486864

へき開エッジエピタキシャル被覆成長の間の成長中断アニーリングによる平坦単分子層無階段(110)GaAs表面の形成

Formation of Flat Monolayer-Step-Free (110) GaAs Surfaces by Growth Interruption Annealing during Cleaved-Edge Epitaxial Overgrowth.

著者 (4件)： YOSHITA M (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  AKIYAMA H (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  PFEIFFER L N (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  WEST K W (Bell Lab., New Jersey, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 3B  ページ： L252-L254  発行年： 2001年03月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空へき開したGaAs(110)表面上にMBE法で作製した厚...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (16件)：

• 1) L. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Störmer, J. P. Eisenstein, K. W. Baldwin, D. Gershoni and J. Spector: Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 1697.
• 2) W. Wegscheider, G. Schedelbeck, G. Abstreiter, M. Rother and M. Bichler: Phys. Rev. Lett. 79 (1997) 1917.
• 3) R. de Picciotto, H. L. Störmer, A. Yacoby, L. N. Pfeiffer, K. W. Baldwin and K. W. West: Phys. Rev. Lett. 85 (2000) 1730.
• 4) A. R. Gõni, L. N. Pfeiffer, K. W. West, A. Pinczuk, H. U. Baranger and H. L. Störmer: Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 1956.
• 5) T. Someya, H. Akiyama and H. Sakaki: Phys. Rev. Lett. 74 (1995) 3664.

タイトルに関連する用語 (10件)： へき開 ,  エッジ ,  エピタキシャル ,  被覆成長 ,  成長 ,  中断 ,  アニーリング ,  単分子層 ,  階段 ,  GaAs