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J-GLOBAL ID：200902200037719774   整理番号：08A1270239

「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(8)」-照射効果の解明と耐照射材料および新素材開発をめざして-(c)新素材開発 半導体ナノ粒子の低エネルギー電子励起効果によるポーラス化と相分離

著者 (2件)： 保田英洋 (神戸大 大学院工学研究科) ,  森博太郎 (大阪大 超高圧電子顕微鏡セ)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 47  号： 12  ページ： 648  発行年： 2008年12月01日 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： III-V族化合物半導体ナノ粒子を電子励起すると相変態が起こる。半導体ナノ粒子の電子励起によって導入される点欠陥を利用したナノポーラス構造の創製と相分離を示した。GaSbナノ粒子を電子エネルギー25keVで電子励起したときの変化を電顕内でその場観察した。電子線の励起によってナノ粒子内部に明るいコントラストのボイドが観察され,サイズが約15%膨張した。励起後の回折図形から励起前に比べて格子定数が約1.9%増大した閃亜鉛鉱構造であった。さらに,電子線で励起するとナノ粒子中のボイドは大きさと形状を変化させ,Sb結晶のコアと液体Gaのシェルからなるナノ粒子に相分離する。点欠陥の移動は濃度変化の模式図としてまとめた。表面に拡散できずに内部で過飽和になった原子空孔は,歪エネルギーを下げるために原子空孔クラスタからボイドを形成し,格子間原子の表面偏析は二相分離を誘起した。

シソーラス用語： ナノ粒子 ,  多孔質体 ,  相分離 ,  化合物半導体 ,  *電子励起 ,  *アンチモン化ガリウム ,  その場観察 ,  空孔欠陥 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  格子間原子 ,  格子定数 ,  価電子バンド ,  空格子点 ,  クラスタ ,  歪エネルギー ,  歪場 ,  内殻準位 ,  アンチモン ,  ガリウム
準シソーラス用語： ボイド【結晶】 ,  価電子帯 ,  空孔【点欠陥】 ,  新素材

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

引用文献 (4件)：

• YASUDA, H. Phys. Rev. Lett. 2004, 92, "135501-1"-"135501-4"
• YASUDA, H. Phys. Rev. B. 2004, 70, "214105-1"-"214105-5"
• YASUDA, H. Euro. Phys. J. D. 2006, 37, 231-235
• YASUDA, H. Phys. Rev. Lett. 2008, 100, "105506-1"-"105506-4"

タイトルに関連する用語 (11件)： 顕微鏡法 ,  開発 ,  微細構造 ,  研究 ,  照射効果 ,  新素材 ,  半導体ナノ粒子 ,  低エネルギー ,  電子励起 ,  ポーラス化 ,  相分離