60°転位によるSi<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si(001)系異方的歪緩和とそのメカニズム

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J-GLOBAL ID：200902214675323528 整理番号：04A0342912

60°転位によるSi_1-xGe_x/Si(001)系異方的歪緩和とそのメカニズム

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資料名：
巻： 51st 号： 1 ページ： 412 発行年： 2004年03月28日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜 , 半導体の格子欠陥

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