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J-GLOBAL ID：200902223514402427   整理番号：08A0897495

エアロゾルデポジション法 エアロゾルデポジション(AD)法の高度化プロセス技術

著者 (3件)： 馬場創 (産業技術総合研) ,  森正和 (龍谷大 理工) ,  明渡純 (産業技術総合研)
資料名： セラミックス  (Bulletin of the Ceramic Society of Japan)
巻： 43  号： 9  ページ： 695-699  発行年： 2008年09月01日 
JST資料番号： S0291A  ISSN： 0009-031X  CODEN： SERAA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MEMSに向けたステンレス鋼基板上の高性能PZT厚膜の作製方法として,エアロゾルデポジション(AD)膜のレーザアニーリング(LA)と誘導結合型プラズマ(ICP)援用技術について概説した。1)AD法の高速化プロセス技術の必要性:成膜後のアニールによる粒成長や欠陥回復のため,PZT厚膜だけを加熱する方法を検討,2)LA技術:結晶化や焼結を目的とした従来のLAとは異なるCO₂レーザで援用したAD法,結晶性,機械特性,誘電特性,微細組織,結晶粒度,3)ICP援用AD法:装置,PZTの形成,成膜速度,誘電特性,微細構造。

シソーラス用語： 蒸着 ,  薄膜成長 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  厚膜 ,  MEMS ,  *レーザアニーリング ,  *誘導結合プラズマ ,  炭酸ガスレーザ ,  結晶度 ,  機械的性質 ,  微細構造 ,  ナノ構造 ,  結晶粒度 ,  誘電性 ,  堆積速度 ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  磁気ヒステリシス ,  膜厚 ,  高速化
準シソーラス用語： *エアロゾルデポジション法 ,  PZT【鉛化合物】 ,  CO₂レーザ ,  微細組織

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (11件)：

• AKEDO, J. Jpn. J. Appl. Phys., B. 2005, 44, 9, 7072-7077
• NAM, S-M. Jpn. J. Appl. Phys., A. 2004, 43, 8, 5414-5418
• AKEDO, J. J. Soc. Powder Technol Japan. 2003, 40, 192-200
• AKEDO, J. J. Cryst. Growth. 2002, 235, 415-420
• 鷲尾邦彦. レーザー研究. 2006, 34, 678

タイトルに関連する用語 (6件)： エアロゾルデポジション法 ,  エアロゾルデポジション ,  AD ,  法 ,  高度化 ,  プロセス