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J-GLOBAL ID：200902233466247460   整理番号：09A0508145

7.8MB/sを実現する64Gb4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー

A 7.8MB/s 64Gb 4bit/Cell NAND Flash Memory in 43nm CMOS

著者 (40件)： 本間充祥 (東芝) ,  TRINH Cuong (サンディスク) ,  柴田昇 (東芝) ,  中野威 (東芝) ,  小川幹雄 (東芝) ,  佐藤順平 (東芝) ,  竹山嘉和 (東芝) ,  磯部克明 (東芝) ,  LE Binh (サンディスク) ,  MOOGAT Farookh (サンディスク) ,  MOKHLESI Nima (サンディスク) ,  KOZAKAI Kenji (サンディスク) ,  HONG Patrick (サンディスク) ,  KAMEI Teruhiko (サンディスク) ,  岩佐清明 (東芝) ,  中井潤 (東芝) ,  清水孝洋 (東芝) ,  境新太郎 (東芝) ,  川合利昌 (東芝) ,  星聡 (東芝) ,  YUH Jonghak (サンディスク) ,  HSU Cynthia (サンディスク) ,  TSENG Taiyuan (サンディスク) ,  LI Jason (サンディスク) ,  HU Jayson (サンディスク) ,  LIU Martin (サンディスク) ,  KHALID Shahzad (サンディスク) ,  CHEN Jiaqi (サンディスク) ,  LIN Hungszu (サンディスク) ,  YANG Jeff (サンディスク) ,  MCKAY Keith (サンディスク) ,  NGUYEN Khanh (サンディスク) ,  PHAM Trung (サンディスク) ,  松田容幸 (東芝) ,  中村敬一 (東芝) ,  金箱和範 (東芝) ,  吉川進 (東芝) ,  五十嵐渉 (東芝) ,  井上敦史 (東芝) ,  高橋俊行 (東芝)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 2(ICD2009 1-12)  ページ： 43-46  発行年： 2009年04月06日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 43nmの製造プロセスを用いて4ビット/セルの多値技術を持ったNANDフラッシュメモリーを開発した。1チップの容量としては世界最大の64ギガビットを実現している。1メモリセルに16値の閾値を書き込むため,3ステップ書き込み(TSP)方式や連続センス方式(SSC)を導入して高速で細い閾値分布を得ることが出来た。これにより書き込み速度は7.8MB/sを実現している。(著者抄録)

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  *NAND回路 ,  多値論理 ,  *データ書込 ,  *CMOS構造 ,  閾値 ,  カップリング効果 ,  雑音除去 ,  データ読取

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (5件)：

• SHIBATA, N. A 70nm 16Gb 16-level-cell NAND Flash Memory. Symp. VLSI Circuits Digest, 2007. 2007, 190-191
• LI, Y. A 16Gb 3b/Cell NAND Flash Memory in 56nm with 8MB/s Write Rate. ISSCC Dig. Tech Papers, Feb. 2008. 2008, 506-507
• CHO, T. A 3.3V 1Gb Multi-Level NAND Flash with Non-Uniform Threshold Voltage Distribution. ISSCC Dig. Tech Papers, Feb. 2001. 2001, 28-29
• CERNEA, R. A 34MB/s-Program-Thruput 16Gb MLC NAND with All-Bitline Architecture in 56nm. ISSCC Dig. Tech Papers, Feb. 2008. 2008, 420-421
• TAKEUCHI, K. A 56nm CMOS 99mm2 8Gb Multi-level NAND Flash Memory with 10MB/s Program Throughput. ISSCC Dig. Tech Papers, Feb. 2006. 2006, 144-145

タイトルに関連する用語 (2件)： セル ,  NANDフラッシュメモリー