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J-GLOBAL ID：201102244492859539   整理番号：11A0306365

マスクプロセス補正(MPC)モデリングとその電子ビームマスク描画装置EBM-7000用のEUVマスクへの応用

Mask Process Correction (MPC) modeling and its application to EUV mask for Electron beam mask writer, EBM-7000

著者 (16件)： KAMIKUBO Takashi (NuFlare Technol. Inc., Yokohama, JPN) ,  OHNISHI Takayuki (NuFlare Technol. Inc., Yokohama, JPN) ,  HARA Shigehiro (NuFlare Technol. Inc., Yokohama, JPN) ,  ANZE Hirohito (NuFlare Technol. Inc., Yokohama, JPN) ,  HATTORI Yoshiaki (NuFlare Technol. Inc., Yokohama, JPN) ,  TAMAMUSHI Shuichi (NuFlare Technol. Inc., Yokohama, JPN) ,  BAI Shufeng (Brion Technol., Inc., CA, USA) ,  WANG Jen-Shiang (Brion Technol., Inc., CA, USA) ,  HOWELL Rafael (Brion Technol., Inc., CA, USA) ,  CHEN George (Brion Technol., Inc., CA, USA) ,  LI Jiangwei (Brion Technol., Inc., CA, USA) ,  TAO Jun (Brion Technol., Inc., CA, USA) ,  WILEY Jim (Brion Technol., Inc., CA, USA) ,  KUROSAWA Terunobu (Brion Technol. KK, Tokyo, JPN) ,  SAITO Yasuko (Brion Technol. KK, Tokyo, JPN) ,  TAKIGAWA Tadahiro (Brion Technol. KK, Tokyo, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7823  号： Pt.2  ページ： 782331.1-782331.10  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モンテカルロシミュレーションを用いて,EUV基板とCr・オン・ガラス(COG)基板の断面の2D吸収エネルギー分布を比較した。EUV基板の吸収エネルギー分布は,特にTa層とMo/Si多重層において高強度の広がりをもつことが分かった。EUV基板の点像分布関数(レジスト領域のエネルギー分布)にはCOGの前方散乱と後方散乱の二重Gauss型に加えて,半径約1μmの短距離散乱も観測された。この短距離散乱はEUVマスクのEB露光マージンやCDの直線性の誤差を悪化させる。このCD非線形性をパラメトリック補正するマスクプロセス補正(MPC)を検討した。このMPCを用いることで,MPCゲージパターンとEB描画装置評価パターンのCD誤差は大幅に減少した。

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,  *極端紫外線 ,  *フォトマスク ,  *回路パターン形成 ,  補正 ,  計算機シミュレーション ,  モンテカルロ法 ,  金属薄膜 ,  クロム ,  基板 ,  ガラス ,  エネルギー吸収 ,  空間分布 ,  多層膜 ,  モリブデン ,  ケイ素 ,  点像分布関数 ,  光散乱 ,  長さ
準シソーラス用語： クリティカルディメンジョン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： マスク ,  プロセス ,  MPC ,  モデリング ,  電子ビーム ,  描画装置 ,  EBM ,  EUVマスク ,  応用