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J-GLOBAL ID：201202250264473253   整理番号：12A0405444

Al₂O₃/SiO_x/SiCゲート構造によるSiC-MOSFETにおける超高チャネル移動度

Anomalously High Channel Mobility in SiC-MOSFETs with Al₂O₃/SiO_x/SiC Gate Structure

著者 (6件)： HINO Shiro (Tokyo Inst. Technol., JPN) ,  HATAYAMA Tomohiro (Tokyo Inst. Technol., JPN) ,  KATO Jun (Tokyo Inst. Technol., JPN) ,  MIURA Naruhisa (Mitsubishi Electric Corp., JPN) ,  OOMORI Tatsuo (Mitsubishi Electric Corp., JPN) ,  TOKUMITSU Eisuke (Tokyo Inst. Technol., JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 600/603  号： Pt.2  ページ： 683-686  発行年： 2009年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al2O3 ,  SiC ,  ゲート ,  MOSFET ,  チャネル移動度