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J-GLOBAL ID：201602277431741250   整理番号：16A1323776

ワイドギャップ半導体パワーデバイス導入による高効率かつ小型・軽量な電力変換装置の開発-熱輻射活用型放熱部材の開発-

著者 (2件)： 山口典男 (長崎県窯技セ) ,  永石雅基 (長崎県窯技セ)
資料名： 長崎県窯業技術センター研究報告  (Annual Report. Ceramic Research Center of Nagasaki)
号： 63  ページ： 3-10  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： L2271A  ISSN： 1340-802X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素を用いた電力変換用パワーモジュールの小型軽量化に貢献できる輻射を活用した放熱部材の開発を目的に,表面処理技術,放熱特性および放熱部材のマクロ構造と熱抵抗の関係などについて検討した。アルミニウム合金の中で汎用性の高い5052材およびフィンなどで使用される6063材に対し,輻射率が約90%となる処理条件を確立した。その放熱特性は約15Wの発熱量に対し,未処理のものより約20°C,アルマイトより3~6°C温度を下げることができた。放熱部材の構造において,対流熱抵抗は表面積に比例し低下するが,輻射熱抵抗は輻射熱の戻りが少ない構造を選択することで表面積あたりの放熱効果が高まることが分かった。(著者抄録)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *電力変換器 ,  熱放射 ,  熱抵抗 ,  セラミック被覆 ,  アルミニウム合金 ,  効率 ,  軽量化 ,  小型化 ,  対流熱伝達 ,  放射熱伝達 ,  パワーエレクトロニクス ,  回路モジュール ,  *ヒートシンク
準シソーラス用語： ワイドギャップ半導体 ,  高効率

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (5件)：

• 四戸孝、SiCパワーデバイス、東芝レビュー、59(2)、49-53(2004).
• 荒井和雄、SiC半導体のパワーデバイス開発と実用化への戦略、シンセシオロジー、3(4)、259-271(2010).
• 特許第5083578号、遠赤外線高放射皮膜により冷却効果を高めたアルミニウム基材及びその製造法(2012).
• 三浦拓巳,石田信行,西村元延、熱放射を利用した高放射率アルミナセラミックス平板ヒートシンク、エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集、26、200-202(2012).
• 山口典男、各種素材の遠赤外線放射率の特徴、長崎県窯業技術センター研究報告、61、37-39(2014).

タイトルに関連する用語 (9件)： ワイドギャップ半導体 ,  パワーデバイス ,  高効率 ,  軽量 ,  電力変換装置 ,  開発 ,  熱輻射 ,  活用 ,  放熱部材