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J-GLOBAL ID：201702210974130283   整理番号：17A0362499

アンクランプ誘導スイッチングのもとでのパンチスルーIGBTの破壊現象の数値的研究【Powered by NICT】

Numerical study of destruction phenomena for punch-through IGBTs under unclamped inductive switching

著者 (5件)： Tamaki T. (Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corp., 1-1 Iwauchi, Nomi, Ishikawa 923-1293, Japan) ,  Yabuuchi Y. (Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corp., 1-1 Iwauchi, Nomi, Ishikawa 923-1293, Japan) ,  Izumi M. (Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corp., 1-1 Iwauchi, Nomi, Ishikawa 923-1293, Japan) ,  Yasuhara N. (Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corp., 1-1 Iwauchi, Nomi, Ishikawa 923-1293, Japan) ,  Nakamura K. (Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corp., 1-1 Iwauchi, Nomi, Ishikawa 923-1293, Japan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 469-473  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,アンクランプ誘導スイッチング(UIS)下のパンチスルー(PT)IGBTの凹凸の数値的記述は,キャリブレーション実験結果とを持つ二次元(2D)シミュレーションを用いて提案されている。アンクランプ誘導スイッチング(UIS)能力は,ウエハプロセス時に形成した欠陥スクリーニングの目的のための素子構造の重要な設計要素である。チップ面積に広く分布している三次元(3D)電流フィラメントによる局所ホットスポットはフィラメントの電流密度とその挙動デバイス破壊をもたらすを再現する3Dシミュレーションを必要とするが,適切なメッシュサイズと境界条件を有するこのような大面積をシミュレートすることは困難である。この技術問題の可能な解決策を提供するために,電流密度の増加と大規模マルチセル構造を用いた2Dシミュレーションは3Dシミュレーションに頼ることなく実験結果を再現するために提案されている。このアプローチを用いて,だけでなくUIS耐久性とラッチアップ故障モードを含む破壊現象が再現されているが,また破壊につながるデバイス内部状態を明らかにした。UIS条件中の電位と横方向電場の空間分布は,電流フィラメント幅とUIS耐久性を決定する重要な役割であることを示した。に加えて,実験で観測されたUIS中のコレクタ電圧の高周波振動を解析し,素子の隣接セルからセルまでの電流フィラメントのホッピング運動に関係することが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流密度 ,  空間分布 ,  *IGBT ,  *クランプ ,  耐久性 ,  ホットスポット ,  二次元 ,  境界条件 ,  フィラメント ,  電場 ,  三次元 ,  *パンチスルー ,  故障モード
準シソーラス用語： 三次元シミュレーション ,  電流フィラメント , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： IGBT ,  クランプなし誘導性スイッチング ,  UIS ,  シミュレーション ,  電流フィラメント ,  ラッチアップ ,  シミュレーション

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 誘導 ,  スイッチング ,  パンチスルー ,  IGBT ,  破壊 ,  現象 ,  数値 ,  研究