InPDH BTプロセスにおける応用のための最小副産物再堆積によるベンゾシクロブテンドライエッチング【Powered by NICT】

Stoppel D.; John W.; Zeimer U.; Kunkel K.; Schukfeh M.I.; Krueger O.; Weimann N.

文献

J-GLOBAL ID：201702216767176344 整理番号：17A0313245

InPDH BTプロセスにおける応用のための最小副産物再堆積によるベンゾシクロブテンドライエッチング【Powered by NICT】

Benzocyclobutene dry etch with minimized byproduct redeposition for application in an InP DHBT process

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巻： 161 ページ： 63-68 発行年： 2016年08月01日
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

本論文では,六ふっ化硫黄/酸素(SF_6/O_2)プラズマにおけるソフトマスクを用いたベンゾシクロブテン(BCB)の誘導結合プラズマ(ICP)エッチング中の再堆積の還元について報告した。りん化インジウム(InP)基板除去へBT技術のためのBCBを通した垂直相互接続を作製するための異方性ICP処方を開発した。これに関連して新しい処方は全BCB厚さに基づく<1%3σの3in.ウエハ上にエッチング不均一性を持っている。Al,F,Oの残差後レジストアッシングの起源はAl_2O_3から作られた反応室部品を追跡した。再堆積の量はより低い燃焼室圧力を最小化するように見えた。再堆積,エッチング速度,及びバイアスの量に及ぼす異なる基板搬送材料の影響を認めた。残存堆積物は湿式化学最終洗浄,希釈水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)に基づいたで除去できた。新しい高密度プラズマ処方を用いたBCBエッチング速度は優れた横方向構造忠実度を維持し,エッチ副産物の再堆積を最小化しながら,5倍増加した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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固体デバイス製造技術一般

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