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J-GLOBAL ID：201702218452431312   整理番号：17A0391837

大規模石英試料採取格子の研究進展【JST・京大機械翻訳】

Advances in large-aperture beam sampling gratings

著者 (9件)： Liu Ying (National Synchrotron Radiation Laboratory,University of Science and Technology of China) ,  Liu Zhengkun (National Synchrotron Radiation Laboratory,University of Science and Technology of China) ,  Qiu Keqiang (National Synchrotron Radiation Laboratory,University of Science and Technology of China) ,  Rao Huanle (College of Life Information Science&Instrument Engineering, Hangzhou Dianzi University) ,  Jiang Xiaolong (Engineering Optics Department,Research Centre of Laser Fusion, China Academy of Engineering Physics) ,  Chen Huoyao (National Synchrotron Radiation Laboratory,University of Science and Technology of China) ,  Xu Xiangdong (National Synchrotron Radiation Laboratory,University of Science and Technology of China) ,  Hong Yilin (National Synchrotron Radiation Laboratory,University of Science and Technology of China) ,  Fu Shaojun (National Synchrotron Radiation Laboratory,University of Science and Technology of China)
資料名： Guangxue Jingmi Gongcheng  (Guangxue Jingmi Gongcheng)
巻： 24  号： 12  ページ： 2896-2901  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2090A  ISSN： 1004-924X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,最近5年間の-装置のための大口径石英サンプリング格子の開発について概説した。大規模サンプリング格子の化学機械研磨技術を提案し、ホログラフィックリソグラフィー-イオンビームエッチングの430MM口径サンプリング格子のサンプリング効率均一性を5%以下に抑え、サンプリング格子の設計要求を満たした。サンプリング格子の閾値特性に対して、二次イオン質量分析技術を利用して、サンプリング格子の調製過程に導入した汚染及びその洗浄効果を定量化し、サンプリング格子の洗浄方法を最適化、発展させた。フッ化水素酸と誘導結合プラズマエッチングに基づく熔石英基底処理技術を検討し、ドライエッチング処理技術と結合し、石英格子の底部の表面損傷を除去した。サンプル格子の抗放射線損傷特性をさらに向上させるために,大規模な試料採取格子を開発するためのフッ化水素酸処理法と,サブ波長格子構造を有するサンプル格子の調製法を提案した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 格子構造 ,  化学機械研磨 ,  プラズマエッチング ,  イオンエッチング ,  放射線障害 ,  最適化 ,  *石英 ,  フッ化水素 ,  大口径 ,  サブ波長
準シソーラス用語： 表面損傷 ,  フッ化水素酸 ,  洗浄効果 ,  サンプリング速度 ,  ホログラフィックリソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： fused silica ,  Beam Sampling Grating(BSG) ,  sampling efficiency ,  laser-induced damage threshold ,  subsurface damage ,  polishing ,  etching ,  review

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大規模 ,  石英 ,  試料採取 ,  格子 ,  研究 ,  進展