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J-GLOBAL ID：201702227847674259   整理番号：17A0759479

SiC MOSFETのガンマ線照射抵抗に及ぼすゲートバイアスとその変動の影響【Powered by NICT】

Impacts of gate bias and its variation on gamma-ray irradiation resistance of SiC MOSFETs

著者 (17件)： Murata Koichi (Saitama University, Sakuraku, Saitama, 338-8570, Japan) ,  Murata Koichi (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki, 370-1292, Japan) ,  Mitomo Satoshi (Saitama University, Sakuraku, Saitama, 338-8570, Japan) ,  Mitomo Satoshi (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki, 370-1292, Japan) ,  Matsuda Takuma (Saitama University, Sakuraku, Saitama, 338-8570, Japan) ,  Matsuda Takuma (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki, 370-1292, Japan) ,  Yokoseki Takashi (Saitama University, Sakuraku, Saitama, 338-8570, Japan) ,  Yokoseki Takashi (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki, 370-1292, Japan) ,  Makino Takahiro (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki, 370-1292, Japan) ,  Onoda Shinobu (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki, 370-1292, Japan) ,  Takeyama Akinori (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki, 370-1292, Japan) ,  Ohshima Takeshi (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology (QST), Takasaki, 370-1292, Japan) ,  Okubo Shuichi (Sanken Electric Co., Ltd., Niiza, Saitama, 352-8666, Japan) ,  Tanaka Yuki (Sanken Electric Co., Ltd., Niiza, Saitama, 352-8666, Japan) ,  Kandori Mikio (Sanken Electric Co., Ltd., Niiza, Saitama, 352-8666, Japan) ,  Yoshie Toru (Sanken Electric Co., Ltd., Niiza, Saitama, 352-8666, Japan) ,  Hijikata Yasuto (Saitama University, Sakuraku, Saitama, 338-8570, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600446  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 縦型nチャネル六方晶(4H)-炭化けい素へのガンマ線照射(SiC)金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を種々のゲートバイアス下で行った。一定の正のゲートバイアスで照射したMOSFETのしきい値電圧は大きな負のシフトを示し,シフトは100kGy以上で得られた。負の一定バイアスを非及びを持つMOSFETのために,V_th,しきい値電圧に顕著な変化が400kGyまで観察されなかった。負またはノンバイアスに正のバイアスゲートバイアスを変えることにより,V_thは有意に負または零のどちらかバイアスでほんの10kGy照射後の正のゲートバイアスで50kGy照射により誘起された大きな負の電圧シフトから回復した。照射による酸化SiC界面近くのゲート酸化物中に発生した正電荷を除去または零または負のバイアス下で照射により瞬時に再結合したことを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化 ,  酸化物 ,  再結合 ,  チャネル ,  界面 ,  半導体 ,  *バイアス ,  六方晶系 ,  *γ線照射 ,  電圧変動 ,  炭化ケイ素 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 正電荷 ,  閾値電圧 ,  *ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ガンマ線照射 ,  ゲートバイアス ,  MOSFET ,  SiC

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  MOSFET ,  ガンマ線照射 ,  ゲートバイアス