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J-GLOBAL ID：201702229740153815   整理番号：17A0854863

液相成長により成長させた両性不純物GeをドープしたGaSe結晶の電気的性質と構造解析【Powered by NICT】

Electrical property and structural analysis of amphoteric impurity Ge doped GaSe crystal grown by liquid phase growth

著者 (5件)： Sato Y. (Department of Materials Science and Engineering, Tohoku University, Aramaki-Aza Aoba 6-6-11-1021, Sendai 980-8579, Japan) ,  Zhao S. (Department of Materials Science and Engineering, Tohoku University, Aramaki-Aza Aoba 6-6-11-1021, Sendai 980-8579, Japan) ,  Maeda K. (Department of Materials Science and Engineering, Tohoku University, Aramaki-Aza Aoba 6-6-11-1021, Sendai 980-8579, Japan) ,  Tanabe T. (Department of Materials Science and Engineering, Tohoku University, Aramaki-Aza Aoba 6-6-11-1021, Sendai 980-8579, Japan) ,  Oyama Y. (Department of Materials Science and Engineering, Tohoku University, Aramaki-Aza Aoba 6-6-11-1021, Sendai 980-8579, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 467  ページ： 34-37  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： THz波発生の変換効率を改善するために,ゲルマニウム(Ge)をドープしたセレン化ガリウム(GaSe)単結晶を,制御された蒸気圧(TDM CVP)下での温度差法により成長させた。この論文では,GeをドープしたGaSe(GaSe:Ge)結晶の電気的性質と格子定数は故意にはドープしたGaSe結晶のそれと比較した。非ドープGaSe結晶と比較して,キャリア濃度pが,Geドーピング(255Kで故意にはドープしたGaSe(3.2×1015cm~ 3,GaSe:Ge P=4.9×1014cm~ 3から255K)により減少した。さらに,GaSe結晶ドーピングGe濃度の増加と共に格子定数が増加することを確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 格子定数 ,  *液相成長 ,  非線形光学材料 ,  蒸気圧 ,  キャリア密度 ,  *不純物 ,  *電気的性質 ,  単結晶 ,  *ドーピング ,  *ゲルマニウム ,  *構造解析 ,  ガリウム化合物
準シソーラス用語： セレン化ガリウム ,  変換効率 ,  *GaSe , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： A2溶液からの成長 ,  B1ガリウム化合物 ,  B2非線形光学材料

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (9件)： 液相成長 ,  成長 ,  不純物 ,  Ge ,  ドープ ,  GaSe ,  結晶 ,  電気的性質 ,  構造解析