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J-GLOBAL ID：201702233320036884   整理番号：17A0633161

原子層堆積法によるHfO₂を有するAlGaN/GaN金属酸化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタに及ぼす酸素プラズマ処理の影響 漏れ電流と状態密度の低減

Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO₂ by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction

著者 (11件)： STOKLAS R (Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sci., Bratislava, SVK) ,  STOKLAS R (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  GREGUSOVA D (Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sci., Bratislava, SVK) ,  BLAHO M (Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sci., Bratislava, SVK) ,  FROEHLICH K (Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sci., Bratislava, SVK) ,  NOVAK J (Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sci., Bratislava, SVK) ,  MATYS M (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MATYS M (Silesian Univ. Technol., Gliwice, POL) ,  YATABE Z (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KORDOS P (Slovak Technical Univ., Bratislava, SVK) ,  HASHIZUME T (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 32  号： 4  ページ： 045018,1-8  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  酸化ハフニウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *MOSFET ,  *素子構造 ,  *プラズマ ,  漏れ電流 ,  状態密度 ,  閾値 ,  酸化ガリウム ,  X線光電子分光法 ,  容量電圧特性 ,  プラズマ処理
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  サブ閾値 ,  *ヘテロ構造 ,  界面状態密度 ,  原子層堆積 ,  *酸素プラズマ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 原子層堆積法 ,  HfO2 ,  AlGaN ,  GaN ,  金属酸化物半導体 ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  酸素プラズマ ,  漏れ電流 ,  状態密度