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J-GLOBAL ID：201702235755918893   整理番号：17A0000107

ZnドープIn_0.25Ga_0.75Asの光電陰極の電子的および光学的特性に関する理論的研究

Theoretical study on electronic and optical properties of Zn-doped In0.25Ga0.75As photocathodes

著者 (5件)： Jin Muchun (Nanjing University of Science and Technology) ,  Jin Muchun (Science and Technology on Low-Light-Level Night Vision Laboratory) ,  Chang Benkang (Nanjing University of Science and Technology) ,  Guo Jing (Nanjing University of Science and Technology) ,  Cheng Hongchang (Science and Technology on Low-Light-Level Night Vision Laboratory)
資料名： Optical Review (Web)  (Optical Review (Web))
巻： 23  号： 1  ページ： 84-91  発行年： 2016年02月 
JST資料番号： U0709A  ISSN： 1349-9432  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真性およびZnドープIn_0.25Ga_0.75Asにおいて,電子的および光学特性に及ぼすZnドーピングの影響を調べるために,密度汎関数理論に基づいて第一原理計算を行う。In_0.25Ga_0.75Asのバンド構造,状態密度,Mulliken分布,誘電関数,複素屈折率,吸収係数および反射率などを計算する。結果は,2つのZnドープモデルのフェルミ準位が価電子帯に入り,Zn原子がGa原子よりもIn原子を容易に置換することを示す。In_0.2344Ga_0.75Zn_0.0156Asの格子定数は,最適化後に減少し,In_0.25Ga_0.7344Zn_0.0156Asの格子定数は逆に増加した。Mulliken結合分布は,ドーピングZn原子がIn-AsおよびGa-As極性共有結合の強さを大きくできることを示す。さらに,計算された吸収係数と反射率を用いて,光放出の性能を評価し,Znドープモデルの光応答が真性のものより良好であることを示す。Copyright 2015 The Optical Society of Japan Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ドーピング ,  亜鉛 ,  光学的性質 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  *光電子放出 ,  バンド構造 ,  Fermi準位 ,  格子定数 ,  吸収係数 ,  状態密度 ,  反射率 ,  複素屈折率 ,  密度汎関数法 ,  誘電関数 ,  真性半導体 ,  第一原理 ,  *光電陰極

著者キーワード (4件)： First-principles ,  Zn doped ,  InGaAs photocathode ,  Photoemission

分類 (1件)： 光電子放出  (BM09030D)

引用文献 (26件)：

• Liu, Z., Sun, Y., Peterson, S., Pianetta, P.: Photoemission study of Cs-NF₃ activated GaAs(100) negative electron affinity photocathodes. Appl. Phys. Lett. 92, 241107 (2008)
• Zou, J.J., Chang, B.K., Chen, H.L., Liu, L.: Variation of quantum-yield curves for GaAs photocathodes under illumination. J. Appl. Phys. 101, 033126 (2007)
• Zhang, Y.J., Chang, B.K., Niu, J., Zhao, J.: Photoemission characteristics of different-structure reflection-mode GaAs photocathodes. Appl. Phys. Lett. 99, 101104 (2011)
• Myers, M.M., Dayton, D.C., Gonglewski, J.D.: SWIR air glow mapping of the night sky. Proc. SPIE 7816, 78160J (2010)
• Fisher, D.G., Enstrom, R.E.: Photoelectron surface escape probability of (Ga,In)As: Cs-O in the 0.9 to ~ 1.6 μm range. J. Appl. Phys. 43, 641-649 (1972)

タイトルに関連する用語 (7件)： Zn ,  ドープ ,  光電陰極 ,  電子 ,  光学的特性 ,  理論 ,  研究