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J-GLOBAL ID：201702237718819077   整理番号：17A0749444

深紫外および可視偏光エミッタのためのm面非相溶性Al_1-xIn_xNエピタキシャルナノ構造の欠陥耐性放射性能【Powered by NICT】

Defect-Resistant Radiative Performance of m-Plane Immiscible Al_{1- x}In_xN Epitaxial Nanostructures for Deep-Ultraviolet and Visible Polarized Light Emitters

著者 (4件)： Chichibu Shigefusa F. (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Kojima Kazunobu (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Uedono Akira (Division of Applied Physics, Faculty of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, 305-8573, Japan) ,  Sato Yoshitaka (Futaba Corporation, 1080 Yabutsuka, Chosei-mura, Chosei-gun, Chiba, 299-4395, Japan)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 5  ページ： ROMBUNNO.201603644  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 偏光UV-C,青と緑の光を発光する平面真空蛍光表示装置は非極性m方向に成長した非混和性Al_1-xIn_xNナノ構造を用いて実証した。無放射再結合中心の高濃度の存在にもかかわらず,Al_1-xIn_xNナノ構造は300Kで22 32psのルミネセンス寿命を持つ偏光を放出する欠陥耐性放射性能は電子-正孔対の異常局在特性を示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  表示装置 ,  ルミネセンス ,  非極性 ,  *偏光 ,  電子正孔対 ,  *エピタクシー ,  蛍光
準シソーラス用語： 高濃度 ,  放射再結合 ,  UV-C ,  *非混和性 ,  *深紫外線 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 深紫外光 ,  非混和性合金 ,  局在 ,  無放射再結合 ,  点欠陥 ,  偏光エミッタ ,  放射再結合

分類 (5件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  コロイド化学一般  (CB11010C) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T) ,  その他の液晶  (BK03030H)

タイトルに関連する用語 (9件)： 深紫外 ,  偏光 ,  エミッタ ,  非相溶性 ,  エピタキシャル ,  ナノ構造 ,  欠陥 ,  耐性 ,  放射