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J-GLOBAL ID：201702238793276717   整理番号：17A0250350

Si(100)表面に成長したGaAsナノ結晶の異方的な格子整合

著者 (2件)： 保田英洋 (大阪大学超高圧電子顕微鏡センター) ,  薄井洋行 (鳥取大学大学院工学研究科)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 55  号： 12  ページ： 602(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si(100)表面に約4%格子定数の大きいGaAsナノ結晶を成長させて,格子整合性の観点から形態と結晶構造を調べ,ナノ結晶のヘテロ成長における異方性を報告した。Si表面上に,GaAsナノ結晶を分子線成長法により4モノレーヤ成長させた。薄膜試料を作製後,基板表面に垂直な〈100〉および平行な〈011〉方向からTEM観察を行った。GaAsナノ結晶の底面は長方形となり,その各辺は〈011〉方向に沿って配列する。一方,電子回折図形中には,Siの基本格子反射から2つの〈011〉方向に分裂した回折点が現れ,その位置はGaAsの{011}面間隔と一致した。ナノ結晶断面のHREM像と形態と格子整合性に関する模式図を作成した。模式図のモデルは,単軸方向の格子整合に対して長軸方向が部分整合であることを示している。以上の結果は,Si(100)表面に成長したGaAsナノ結晶は,短軸に平行な{011}面のみがSi{011}面と整合するように歪んでいることを示している。一方,長軸に平行な{011}面は部分格子整合のため,格子歪に律速されることなく結晶成長する。

シソーラス用語： ケイ素 ,  表面 ,  結晶成長 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ナノ結晶 ,  結晶方位 ,  *格子整合 ,  格子定数 ,  結晶構造 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  格子歪 ,  異方性 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子回折

著者キーワード (4件)： HREM (high-resolution electron microscopy) ,  GaAs ,  Si ,  interface

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (1件)：

• (1) H. Usui, H. Yasuda and H. Mori: Appl. Phys. Lett., 89(2006), 173127.

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  成長 ,  GaAs ,  ナノ結晶 ,  格子整合