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J-GLOBAL ID:201702247202595195   整理番号:17A0826654

シームレスガードバンドを用いた大規模電荷共有緩和のシミュレーション研究【Powered by NICT】

Simulation Study of Large-Scale Charge Sharing Mitigation Using Seamless Guard Band
著者 (5件):
資料名:
巻: 17  号:ページ: 176-183  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1320A  ISSN: 1530-4388  CODEN: ITDMA2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,電荷共有緩和のための新しいシームレスガードバンド(SGB)法を三次元TCAD数値シミュレーションを用いて研究した。65nm井戸バルクCMOS技術におけるシミュレーション結果は,SGB法はシングルイベント過渡パルス幅を軽減する大きくなく論理ノードまたは論理細胞間の電荷共有を有意に軽減できることを示した。シミュレーション結果はまた,SGB法は,従来のガードバンド(GB)法よりも優れている,寄生バイポーラ効果緩和のためのより有益であることを示した。SGB法を用いて,単一事象二重過渡(SEDT)生成は低LET粒子(LET ≦40MeV.cm~2/mg)照射下で完全に緩和される,SEDTパルス幅は80MeV。cm~/mgのLET,GB法から>25%であっても,>50%軽減される。最後に,SGB法は耐放射線性標準セルライブラリの構築に都合よく適用でき,その面積は1~1.67×,GB法のそれと同じである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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半導体集積回路  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (5件):
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