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J-GLOBAL ID：201702251522102249   整理番号：17A0402536

異なる開発者とSML電子線レジスト特性の比較研究【Powered by NICT】

Comparative study of SML electron beam resist characteristics with different developers

著者 (4件)： Aassime A. (Center for Nanoscience and Nanotechnology (C2N)-Site d’Orsay UMR 9001, Universite Paris-Sud, Bat. 220, Rue Ampere, 91405 Orsay Cedex, France) ,  Bayle F. (Center for Nanoscience and Nanotechnology (C2N)-Site d’Orsay UMR 9001, Universite Paris-Sud, Bat. 220, Rue Ampere, 91405 Orsay Cedex, France) ,  Plante M.P. (Center for Nanoscience and Nanotechnology (C2N)-Site d’Orsay UMR 9001, Universite Paris-Sud, Bat. 220, Rue Ampere, 91405 Orsay Cedex, France) ,  Hamouda F. (Center for Nanoscience and Nanotechnology (C2N)-Site d’Orsay UMR 9001, Universite Paris-Sud, Bat. 220, Rue Ampere, 91405 Orsay Cedex, France)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 168  ページ： 62-66  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,電子ビームリソグラフィー(EBL)のためのSML,600開発者としてMIBK/IPA(1/3),IPA/水混合物(7/3)とZED-N50の比較について報告した。パターンは20kVで曝露し,コントラスト曲線測定を行った。コントラスト曲線に及ぼす後洗浄の影響を観察し,ZED N50はSMLレジストのための優れた高分解能現像液であることを示した。さらに,曝露パターンのレジストクリアランスはZED-N50現像剤で達成されたが,他の二開発者を得ることは困難であることに注目した。,リフトオフ過程に及ぼす残留レジストの影響を検討した。最後に,格子パターンは,分解能と20kVでSMLレジストのアスペクト比をチェックするために曝露した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高分解能 ,  アスペクト比 ,  電子ビームリソグラフィー ,  現像液 ,  コントラスト ,  *電子線レジスト ,  *レジスト ,  分解能
準シソーラス用語： リフトオフ ,  比較研究 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電子ビームリソグラフィー ,  SMLレジスト ,  リフトオフ ,  格子 ,  分解能

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 開発 ,  電子線レジスト ,  研究