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J-GLOBAL ID:201702258363558151   整理番号:17A0400548

GaAs PHEMT MMICの等価熱解析のための新しいメッシング基準【Powered by NICT】

A new meshing criterion for the equivalent thermal analysis of GaAs PHEMT MMICs
著者 (10件):
資料名:
巻: 68  ページ: 30-38  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,GaAs PHEMT MMIC(モノリシックマイクロ波集積回路)の等価熱解析のための新しいメッシュ基準を提案した。メッシュ基準に基づいて,著しく減少メッシュ複雑さを持つGaAs PHEMTの等価熱モデルを確立し,MMICのレイアウトパターンとビアの両方の単純化を行った。理論解析は,等価熱モデルのキャリブレーションに適用した。メッシュ基準により支援され,チップレベルシミュレータは平均化近似を用いることなくMMICのピーク温度を得て,かなり高いシミュレーション精度を達成することができる。例として,二個のMMIC電力増幅器はGaAs PHEMTプロセスを使って設計,実装した。ANSYS ICEPAKと赤外サーモグラフィーを用いて得られた熱シミュレーションと測定の結果は,高い一貫性を示した。提案したメッシュ基準は,MMICの熱解析の精度を改善するために適用でき,得られた正確なピーク温度は信頼性試験で設計された増幅器のパワーしきい値を評価するため効果的に用いることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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トランジスタ  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 
タイトルに関連する用語 (5件):
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