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J-GLOBAL ID：201702264461983169   整理番号：17A0465718

SiO₂/4H-SiC構造における低速界面トラップに及ぼすホウ素取込の効果

Effect of boron incorporation on slow interface traps in SiO₂/4H-SiC structures

著者 (6件)： OKAMOTO Dai (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SOMETANI Mitsuru (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  HARADA Shinsuke (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KOSUGI Ryoji (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YONEZAWA Yoshiyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  YANO Hiroshi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 2  ページ： 133,1-6  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC金属-絶縁体-半導体デバイスではホウ素Bの取込により電界効果移動度が改善されることが知られている。その機構を調べるための実験を行った。このため,SiO₂/4H-SiC(0001)構造に対して,低温容量-ゲート電圧及び熱誘電緩和電流-温度の関係を測定し,これから低速界面トラップ(SIT)に捕捉された電子の密度を導き出した。その結果を1)乾燥酸化物,2)NOアニール酸化物,3)B取込酸化物について比較した。その結果,3)の捕捉電子密度は1),2)よりずっと少ないことが分かった。そこで,B取込がSITを除去し,電界効果移動度を増大させると解釈された。SITは界面応力に起因する蓄積Si原子で,B取込は界面応力を低減するためと考えられる。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  酸化ケイ素 ,  *MIS構造 ,  *キャリア移動度 ,  電子密度 ,  状態密度 ,  応力 ,  *キャリア捕獲 ,  *ホウ素 ,  *二酸化ケイ素 ,  不動態化 ,  ドーピング
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *電界効果移動度 ,  界面応力 ,  *界面トラップ

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  4H-SiC ,  低速 ,  界面トラップ ,  ホウ素 ,  取込