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J-GLOBAL ID：201002265046132218   整理番号：10A0465460

(100)および(411)A基板上のGaAsBi/GaAs超格子のMBE成長とAs圧依存性

著者 (3件)： 下村哲 (愛媛大 大学院) ,  石川智貴 (愛媛大 大学院) ,  山口大輔 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.18A-TW-8  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  *ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  ビスマス化合物 ,  *MBE成長 ,  *人工超格子 ,  化学組成 ,  X線回折 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： ビスマス化ヒ化ガリウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAsBi ,  GaAs ,  超格子 ,  MBE成長 ,  圧 ,  依存性