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J-GLOBAL ID：201002275174329380   整理番号：10A0465463

(775)B InP基板上にMBE成長した量子細線レーザ構造の成長モード評価

著者 (4件)： 光成佳篤 (愛媛大 大学院) ,  毛利如良 (愛媛大 大学院) ,  松木豊和 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.18A-TW-11  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： リン化インジウム ,  *MBE成長 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子細線 ,  半導体レーザ ,  表面ステップ ,  表面テラス ,  ファセット ,  ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  成長モード
準シソーラス用語： 量子細線レーザ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  MBE成長 ,  量子細線レーザ ,  成長モード ,  評価