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J-GLOBAL ID：201102266491652659   整理番号：11A1882909

角度分解硬X線光電子分光法によるHfO₂/Si/歪みGe/SiGe構造の評価

Study of HfO₂/Si/strained-Ge/SiGe using Angle Resolved x-ray Photoelectron Spectroscopy

著者 (8件)： 野平博司 (東京都市大 工) ,  小松新 (東京都市大 工) ,  那須賢太郎 (東京都市大 工) ,  星裕介 (東京都市大 工) ,  榑林徹 (東京都市大 工) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 工) ,  MYRONOV Maksym (Warwick大) ,  白木靖寛 (東京都市大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 249(SDM2011 97-114)  ページ： 37-41  発行年： 2011年10月13日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si-cap層の厚さとHfO₂堆積後の熱処理(PDA)が,HfO₂/Si-cap/歪みGe/Si_0.5Ge_0.5/Si構造の組成および化学結合状態に及ぼす影響を角度分解X線光電子分光法を用いて調べた。Ge2p,Si1s,Hf3dおよびO1s光電子スペクトルの解析から,Si-cap層なしあるいは厚さが1nmのときは歪みGe層がHfO₂堆積中に酸化すること,一方Si-cap層の厚さが3nmと5nmの場合は,歪みGe層の酸化が抑制されることを見出した。また,歪みGe層の酸化が抑制できるSi-cap層の厚さを推定した。(著者抄録)

シソーラス用語： シンクロトロン放射 ,  酸化ハフニウム ,  歪 ,  *X線光電子分光法 ,  半導体材料 ,  ゲルマニウム ,  光電子スペクトル ,  *MOSFET ,  素子構造 ,  *ゲート【半導体】
準シソーラス用語： Ge ,  SiGe ,  放射光

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (14件)：

• Semiconductor Industry Association. International Technology Roadmap for Semiconductors. http://www.itrs.net. 2009
• WONG, H.-S. P. Beyond the conventional transistor. IBM J. Research and Development. 2002, 46, 2/3, 133-168
• SAWANO, K. Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, "122109-1"-"122109-3"
• SAWANO, K. Compressive strain dependence of hole mobility in strained Ge channels. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, "192102-1"-"191202-3"
• MITARD, J. Electrical characterization of Ge-pFETs with HfO_2/TiN metal gate : Review of possible defects impacting the hole mobility. ECS Transactions. 2010, 28, 2, 157-169

タイトルに関連する用語 (8件)： 分解 ,  硬X線光電子分光 ,  HfO2 ,  Si ,  歪み ,  Ge ,  SiGe ,  評価