特許
J-GLOBAL ID：201103017780568350

半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 信一

伊藤 信一 について

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池上 浩

池上 浩 について

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東木 達彦

東木 達彦 について

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早坂 伸夫

早坂 伸夫 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-067305
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270488
特許番号：特許第4537603号
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、半導体基板主面上に形成された位置合わせマークとを具備する被加工基板の主面上に第1の薄膜を形成する工程と、 前記位置合わせマークを含む領域上の第1の薄膜に対して第1のエネルギー線を照射することにより、第1の薄膜の一部を選択的に除去する工程と、 第1の薄膜上に感光性物質及び溶剤が含まれる薬液を供給して、第1の薄膜上に塗布液薄膜を形成する工程と、 前記塗布液薄膜中に含まれる溶剤を除去して感光性薄膜を形成する工程と、 前記被加工基板を潜像形成手段に搬入し、第1の薄膜が選択的に除去された領域を介して前記位置合わせマークに参照光を照射して該マークの位置を認識する工程と、 認識された前記位置合わせマークの位置に基づいて、前記感光性薄膜上の所定位置に第2のエネルギー線を照射して該感光性薄膜に潜像を形成する工程と、 前記感光性薄膜に形成された潜像に基づいて、感光性薄膜の少なくとも一部を選択的に除去して感光性薄膜パターンを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、 第1のエネルギー線を照射する際、少なくとも第1のエネルギー線の照射領域に液体を供給し、 前記液体には、純水にオゾン、酸素、水素、アンモニア、二酸化炭素、塩化水素のうち少なくとも1つのガスが溶存している、酸化性水、還元性水、アルカリ水、酸性水のいずれか、或いは有機溶剤が用いられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  G03F 7/16 ( 200 6.01) ,  G03F 7/20 ( 200 6.01) ,  G03F 9/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/312 ( 200 6.01)
FI (7件)：
H01L 21/30 565 ,  H01L 21/30 520 B ,  G03F 7/16 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/312 D
引用特許：
出願人引用 (10件)
  • 特開平4-354321
  • 特開平3-241831
  • 特開平1-179317
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審査官引用 (20件)
  • 特開平4-354321
  • 特開平4-354321
  • 特開平4-354321
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