特許
J-GLOBAL ID:200903086020594788
半導体装置の製造方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-183220
公開番号(公開出願番号):特開2001-015407
出願日: 1999年06月29日
公開日(公表日): 2001年01月19日
要約:
【要約】【課題】 アライメントマークの上方に形成された不透明膜をレーザ照射によって除去する際に生じる問題を解決する。【解決手段】 半導体基板21の主面側にアライメントマーク23を形成する工程と、アライメントマークが形成された半導体基板の主面側にアライメントマーク観察用の光に対して不透明な不透明膜26を形成する工程と、アライメントマークの上方に形成された不透明膜をレーザ照射によって除去する工程とを有し、不透明膜に照射するレーザのパルス幅が1ピコ秒以下である。
請求項(抜粋):
半導体基板の主面側にアライメントマークを形成する工程と、前記アライメントマークが形成された半導体基板の主面側にアライメントマーク観察用の光に対して不透明な不透明膜を形成する工程と、前記アライメントマークの上方に形成された前記不透明膜をレーザ照射によって除去する工程とを有し、前記不透明膜に照射するレーザのパルス幅が1ピコ秒以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00
FI (4件):
H01L 21/30 520 Z
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00 H
, H01L 21/30 574
Fターム (5件):
5F046EA12
, 5F046EA18
, 5F046EB01
, 5F046FC10
, 5F046PA11
引用特許:
審査官引用 (14件)
-
マスク上の欠陥を修理する方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-006995
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
-
レーザ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-268044
出願人:株式会社シンク・ラボラトリー
-
レーザ加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-270796
出願人:株式会社ニコン
-
特開平3-036783
-
特開昭62-099480
-
特開昭63-278350
-
特開平3-036783
-
特開昭62-099480
-
特開昭63-278350
-
露光装置および露光方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-058894
出願人:ソニー株式会社
-
位置合せ方法および装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-176492
出願人:株式会社日立製作所
-
特開平4-354321
-
特開平3-254111
-
半導体製造装置および半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-094973
出願人:ソニー株式会社
全件表示
前のページに戻る