グラフェン・グラファイト膜を用いる半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：池田憲保 , 福田修一 , 佐々木敬
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2009060402
公開番号（公開出願番号）：WO2010-001686
出願日： 2009年06月01日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

グラフェン・グラファイト膜4は、安価で入手し易いダイヤモンド微粒子を原料とする。ダイヤモンド微粒子はコロイド溶液として適当な材料からなる基板1上に塗布される。塗布には高価な特別の設備は不要で、大気中、室温で行われる。塗布によって形成されたダイヤモンド微粒子膜2は、局所的にエネルギーを集中できる熱源3により、ダイヤモンドからグラファイトへの相変化を利用することで、グラフェン・グラファイト膜4に変換される。任意の場所、任意の形状のグラフェン・グラファイト膜4が形成され、グラフェン・グラファイト膜4からなる配線、電極、チャネルを備えた半導体装置が製造される。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンドからグラファイトへの相変化を利用することで、局所的にエネルギーを集中できる熱源によりダイヤモンド微粒子から変換されたグラフェン膜もしくはグラファイト膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 21/268 , H01L 23/52 , H01L 21/320 , H01L 21/28 , H01L 21/288 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/06 , C01B 31/02 , C01B 31/04 , H01L 21/208 , H01L 29/16

FI (14件)：

H01L21/268 F , H01L21/88 M , H01L21/28 301 , H01L21/288 Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 618C , H01L29/78 627F , H01L29/06 601N , C01B31/02 101Z , C01B31/04 101Z , H01L21/208 D , H01L29/16 , H01L21/268 Z

Fターム (55件)：

4G146AA01 , 4G146AA02 , 4G146AB07 , 4G146AC20B , 4G146AC30B , 4G146AD23 , 4G146AD28 , 4G146BA01 , 4G146BA43 , 4G146BB05 , 4G146BC01 , 4G146BC15 , 4M104AA01 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104DD51 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104HH16 , 5F033HH00 , 5F033PP26 , 5F033PP31 , 5F033QQ53 , 5F033WW01 , 5F033WW02 , 5F033XX10 , 5F033XX34 , 5F053AA03 , 5F053AA06 , 5F053DD20 , 5F053PP03 , 5F053PP20 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE08 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP10 , 5F110QQ01

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