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J-GLOBAL ID：201202230425306688   整理番号：12A1438804

堆積と熱酸化による4H-SiC MOS構造の作製

著者 (4件)： 大谷篤志 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  土方泰斗 (埼玉大 大学院) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.11P-PB2-4  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  *炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  誘電体薄膜 ,  二酸化ケイ素 ,  熱酸化 ,  堆積 ,  *電子ビーム蒸着 ,  後熱処理 ,  酸化 ,  薄膜コンデンサ ,  *容量電圧特性 ,  *表面準位 ,  状態密度 ,  *低温酸化
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  MOSキャパシタ

分類 (3件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 堆積 ,  熱酸化 ,  4H-SiC ,  MOS構造 ,  作製