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文献
J-GLOBAL ID：201202279081759741
整理番号：12A1438657 RF-MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響
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五十嵐健
(埼玉大 大学院)
, 折原操
(埼玉大 大学院)
, 八木修平
(埼玉大 大学院)
, 土方泰斗
(埼玉大 大学院)
, 矢口裕之
(埼玉大 大学院)
資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) について
巻： 73rd ページ： ROMBUNNO.12A-PB4-12 発行年： 2012年08月27日
JST資料番号： Y0055B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*窒化インジウム
, 窒化インジウム について
*MBE成長
, MBE成長 について
窒化
, 窒化 について
*X線回折
, X線回折 について
極性
, 極性 について
化合物半導体
, 化合物半導体 について
ヒ化ガリウム
, ヒ化ガリウム について
基板
, 基板 について
改変
改変 について
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*RF-MBE
RF-MBE について
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
薄膜成長技術・装置
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
(BK14020I)
, X線回折法
薄膜成長技術・装置 について
(BK01020I)
X線回折法 について
タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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RF-MBE
, RF-MBE について
GaAs
, GaAs について
半極性
, 半極性 について
InN
, InN について
成長
, 成長 について
窒化
窒化 について
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