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J-GLOBAL ID：201202279081759741   整理番号：12A1438657

RF-MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響

著者 (5件)： 五十嵐健 (埼玉大 大学院) ,  折原操 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  土方泰斗 (埼玉大 大学院) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.12A-PB4-12  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  *MBE成長 ,  窒化 ,  *X線回折 ,  極性 ,  化合物半導体 ,  ヒ化ガリウム ,  基板 ,  改変
準シソーラス用語： *RF-MBE

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF-MBE ,  GaAs ,  半極性 ,  InN ,  成長 ,  窒化