特許
J-GLOBAL ID：201203013668220210

電子機械スイッチ及びその製造方法

発明者：
リャオ メイヨン

リャオ メイヨン について

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小出 康夫

小出 康夫 について

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菱田 俊一

菱田 俊一 について


出願人/特許権者：
独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-163606
公開番号（公開出願番号）：特開2012-028056
出願日： 2010年07月21日
公開日（公表日）： 2012年02月09日
要約：
【課題】本発明は、スティクションを回避し、かつ、優れた機械摩擦性を持つ単結晶ダイヤモンドからなるナノおよびマイクロ電子機械スイッチを作製する方法を提供することを課題とする。【解決手段】ダイヤモンド単結晶基板の内部にグラファイト層を形成する工程S1と、前記ダイヤモンド単結晶基板の一面を覆うように不純物元素を添加したダイヤモンドエピタキシャル層を形成する工程S2と、前記ダイヤモンド単結晶基板の一面に溝部を形成して第1の凸部と第2の凸部を形成する工程S3と、前記グラファイト層を除去して、前記ダイヤモンド単結晶基板の一面との間に空間部を有する可動構造部を形成する工程S4と、前記第1の凸部と前記第2の凸部にそれぞれ第1の電極部と第2の電極部を形成する工程S5と、を有する電子機械スイッチの製造方法を用いることによって前記課題を解決できる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド単結晶基板の内部にグラファイト層を形成する工程と、 前記ダイヤモンド単結晶基板の一面を覆うように不純物元素を添加したダイヤモンドエピタキシャル層を形成する工程と、 前記一面に溝部を形成して第1の凸部と第2の凸部を形成する工程と、 前記グラファイト層を除去して、前記一面との間に空間部が備えられた可動構造部を形成する工程と、 前記第1の凸部に第1の電極部を形成するとともに、前記第2の凸部に第2の電極部を形成する工程と、を有することを特徴とする電子機械スイッチの製造方法。
IPC (10件)：
H01H 49/00 ,  C30B 29/04 ,  C30B 33/08 ,  C23C 16/27 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/306 ,  B81C 1/00 ,  B81B 3/00 ,  H01H 59/00
FI (12件)：
H01H49/00 Z ,  C30B29/04 Q ,  C30B33/08 ,  C23C16/27 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 C ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/306 T ,  H01L21/306 Z ,  B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00
Fターム (54件)：
3C081AA02 ,  3C081BA43 ,  3C081BA44 ,  3C081BA48 ,  3C081BA53 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA15 ,  3C081CA29 ,  3C081CA40 ,  3C081DA05 ,  3C081DA45 ,  3C081EA23 ,  4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EB10 ,  4G077ED06 ,  4G077EE08 ,  4G077FG01 ,  4G077FG05 ,  4G077FG18 ,  4G077FJ07 ,  4G077HA05 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030DA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030KA23 ,  4K030LA11 ,  5F004AA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004EA05 ,  5F004EB08 ,  5F043AA40 ,  5F043BB30 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F045AA09 ,  5F045AB01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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