特許
J-GLOBAL ID：201003031958561538
ダイヤモンド電子素子、及び、ダイヤモンド電子素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-270240
公開番号（公開出願番号）：特開2010-098262
出願日： 2008年10月20日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：
【課題】高耐電圧のダイヤモンド電子素子及び高耐電圧のダイヤモンド電子素子の製造方法を提供する。【解決手段】上記課題を解決するために、本発明のダイヤモンド電子素子2は、第2ダイヤモンドエピタキシャル層22を有する本体部と、本体部に設けられた電極24とを備えたダイヤモンド電子素子であって、第2ダイヤモンドエピタキシャル層22は、3×104cm-2以下の面密度の複合転移を有する所定の電圧印加領域E1を含み、電極24は、電圧印加領域E1上に設けられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ダイヤモンドエピタキシャル層を有する本体部と、前記本体部に設けられた電極とを備えたダイヤモンド電子素子であって、
前記ダイヤモンドエピタキシャル層は、3×104cm-2以下の面密度の複合転位を有する所定のダイヤモンド領域を含み、
前記電極は、前記ダイヤモンド領域上に設けられている、
ことを特徴とするダイヤモンド電子素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4M104AA10
, 4M104BB06
, 4M104BB15
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104FF02
, 4M104FF27
, 4M104FF31
, 4M104GG02
, 4M104GG03
, 4M104GG09
