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J-GLOBAL ID：201302218508990944   整理番号：13A1589251

(100)GaAs基板上にMBE成長したGaAsBi/GaAs量子井戸の光学的特性

著者 (4件)： 名原優 (愛媛大 大学院) ,  建部崇政 (愛媛大 大学院) ,  田中佐武郎 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集  (日本物理学会中国支部・四国支部・応用物理学会中国四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集)
巻： 2012  ページ： 57  発行年： 2012年 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  基板 ,  MBE成長 ,  ビスマス化合物 ,  量子井戸 ,  *光学的性質 ,  組成 ,  表面偏析

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAsBi ,  GaAs ,  量子井戸 ,  光学的特性