特許
J-GLOBAL ID：201303079232348368

電子スピン偏極イオンビーム発生方法及びその発生装置

発明者：
鈴木 拓

鈴木 拓 について

, 
山内 泰

山内 泰 について

, 
菱田 俊一

菱田 俊一 について


出願人/特許権者：
独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-166145
公開番号（公開出願番号）：特開2013-029435
出願日： 2011年07月29日
公開日（公表日）： 2013年02月07日
要約：
【課題】本発明は、光ポンピング法を用いず、スピン偏極率の絶対値が0.05以上である電子スピン偏極イオンビーム発生方法及びその発生装置を提供することを課題とする。【解決手段】希ガス元素イオンからなるイオンビームを発生させる工程と、前記イオンビームを標的12の一面12aに入射して、散乱イオンビームを出射させる工程と、前記散乱イオンビームを静電アナライザ13内に取り込んで、電界を印加して、電子スピン偏極イオンビームを発生させる工程と、を有する電子スピン偏極イオンビーム発生方法であって、前記イオンビームを標的12の一面12aに入射する際、前記イオンビームの入射方向と前記散乱イオンビームの出射方向の両者を含む散乱面に対して、磁場の方向が80°以上100°以下の方向となるように、磁場を印加する電子スピン偏極イオンビーム発生方法を用いることによって前記課題を解決できる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
希ガス元素イオンからなるイオンビームを発生させる工程と、 前記イオンビームを標的の一面に入射して、散乱イオンビームを出射させる工程と、 前記散乱イオンビームを静電アナライザ内に取り込んで、電界を印加して、電子スピン偏極イオンビームを発生させる工程と、を有する電子スピン偏極イオンビーム発生方法であって、 前記イオンビームを標的の一面に入射する際、前記イオンビームの入射方向と前記散乱イオンビームの出射方向の両者を含む散乱面に対して、磁場の方向が80°以上100°以下の方向となるように、磁場を印加することを特徴とする電子スピン偏極イオンビーム発生方法。
IPC (2件)：
G21K 1/00 ,  G01N 27/62
FI (2件)：
G21K1/00 A ,  G01N27/62 G
Fターム (1件)：
2G041CA10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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