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J-GLOBAL ID：201402203074643949   整理番号：14A1152361

待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ

A 90-nm Three-terminal MRAM Embedded Nonvolatile Microcontroller for Standby-Power-Critical Applications

著者 (14件)： 崎村昇 (NEC グリーンプラットフォーム研) ,  辻幸秀 (NEC グリーンプラットフォーム研) ,  根橋竜介 (NEC グリーンプラットフォーム研) ,  本庄弘明 (NEC グリーンプラットフォーム研) ,  森岡あゆ香 (NEC グリーンプラットフォーム研) ,  石原邦彦 (NEC グリーンプラットフォーム研) ,  木下啓藏 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  深見俊輔 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  三浦貞彦 (NEC グリーンプラットフォーム研) ,  笠井直記 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  遠藤哲郎 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  大野英男 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  羽生貴弘 (東北大 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセ) ,  杉林直彦 (NEC グリーンプラットフォーム研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 175(ICD2014 31-52)  ページ： 39-44  発行年： 2014年07月28日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本講演では,90nm混載MRAM技術を用いて設計された不揮発性マイクロコントローラの構成について述べる。本チップは,動作速度,動作電圧,信頼性に優れた特長を有する三端子磁気抵抗素子を用いて,メモリとロジックの両方が不揮発化されている。これにより,センサーノードで必要なスタンバイリーク・ゼロと瞬時システム復帰が可能な間欠動作が可能となる。また,MRAMを混載しても超低消費電力マイコン市場の主流である20MHzの動作周波数を達成できた。(著者抄録)

シソーラス用語： *電力 ,  *MRAM ,  非揮発性 ,  *マイクロコントローラ ,  三端子回路 ,  消費電力 ,  磁気抵抗素子
準シソーラス用語： *待機電力 ,  超低消費電力 ,  不揮発性

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (12件)：

• 国土交通省白書,平成23年度版 第1部 第2章,"持続可能で活力ある国土・地域づくり," pp.98-109, 2011.
• MSP430F525x Product Preview, SLAS903A, Texas Instruments, May, 2013.
• RL78/G1C Datasheet, R01DS0348EJ0110, Renesas Electronics, Nov. 2013.
• K. Usami et al.,"A Design Approach for Fine-grained Run-Time Power Gating using Locally Extracted Sleep Signals," Int. Conf. on Computer Design, Dig. Tech. Papers, pp. 155-161, 2006.
• H. Singh et al.,"Enhanced leakage Reduction Techniques Using Intermediate Strength Power Gating," IEEE Trans. on Very large Scale Integration (VLSI) Systems, Vol. 15, No. 11, pp. 1215-1224, Nov. 2007.

タイトルに関連する用語 (5件)： 待機電力 ,  重視 ,  アプリケーション ,  MRAM ,  マイクロコントローラ