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J-GLOBAL ID：201402221532670363   整理番号：14A0804291

正弦波組成プロファイルをもつAlGaAs分布型ブラッグ反射鏡

Distributed Bragg reflectors with sinusoidal composition profile in AlGaAs

著者 (2件)： 真鍋直樹 (愛媛大 大学院) ,  下村哲 (愛媛大 大学院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 46(LQE2014 1-16)  ページ： 57-60  発行年： 2014年05月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシー装置を用いてAl組成が正弦関数様に変化するAlGaAs分布型ブラッグ反射器(DBR)を作製した。計算で求めた反射率と比較し,このDBRの構造制御方法について議論する。(著者抄録)

シソーラス用語： ヒ化ガリウムアルミニウム ,  反射器 ,  *Bragg反射 ,  *MBE成長 ,  面発光レーザ
準シソーラス用語： AlGaAs ,  *分布Bragg反射器 ,  *分子線エピタクシー

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (3件)：

• Y. Ohno, S. Shimomura, S. Hiyamizu, Y. Takasuka, M. Ogura, K. Komori, "Polarization control of vertical cavity surface emitting laser structure by using self-organized quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrate by molecular beam epitaxy", J. Vac. Sci. Technol. B 22 (2004) 1526.
• Y. Higuchi, S. Osaki, T. Kitada, S. Shimomura, Y. Takasuka, M. Ogura, and S. Hiyamizu, "Room temperature lasing of GaAs quantum wire vertical-cavity surface-emitting lasers grown on (775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy", Solid-State Electronics 50 (2006) 1137.
• Y. Higuchi, S. Osaki, Y. Sasahata, T. Kitada, S. Shimomura, M. Ogura, S. Hiyamizu, "830-nm polarization controlled lasing of InGaAs quantum wire vertical-cavity surface-emitting lasers grown on (775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy", Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L138.

タイトルに関連する用語 (6件)： 正弦波 ,  組成 ,  プロファイル ,  AlGaAs ,  分布型 ,  ブラッグ反射鏡