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J-GLOBAL ID：201502210192738452   整理番号：15A1275793

半導体結晶成長機構のその場観察 InAs-GaAs(001)表面再構成における組成ゆらぎと量子ドットの非古典的核形成

Atomic-scale Fluctuation of InAs-GaAs(001) Surface Reconstruction and Non-classical Nucleation of Quantum Dots

著者 (3件)： 小西智也 (阿南工高専 地域連携・テクノセ) ,  BELL Gavin R. (Univ. Warwick, Coventry, GBR) ,  塚本史郎 (阿南工高専 地域連携・テクノセ)
資料名： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻： 42  号： 3  ページ： 174-179  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： F0452C  ISSN： 2188-7268  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 特集号「半導体結晶成長機構のその場観察」の解説記事として,本論文では,GaAs(001)基板上のInAs量子ドットについて,表面再構成における組成ゆらぎと量子ドットの非古典的核形成を,走査型トンネル顕微鏡とMBE成長とを組合わせたin situ実験で調べた。その結果,二次元成長段階で動的に変化する表面再構成テリトリーの配置パターンが,量子ドット核形成サイトの配置パターンに引き継がれることが分かった。この結果は,表面再構成による動的な原子レベルのゆらぎが,量子ドット核形成に大きい影響を及ぼし,古典的な不均一核形成や均一核形成の理論だけでは,核形成サイトの規則性を説明知ることが困難であることを示唆した。

シソーラス用語： 結晶成長 ,  実験 ,  *ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  結晶方位 ,  *核形成 ,  *MBE成長 ,  *表面再構成 ,  ヘテロエピタクシー ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  *化合物半導体 ,  ゆらぎ
準シソーラス用語： in situ実験 ,  半導体結晶成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (32件)：

• R. P. Sear: International Materials Reviews, 57 (6) (2012) 328
• M. I shikawa, M. I shikawa, H. Mo r imoto , H. Morimoto, T. Okubo, T. Okubo, and T. Maekawa: International Journal of Modern Physics, B 16 (01n02) (2002) 338
• E. Sanz, C. Valeriani, D. Frenkel, and M. Dijkstra: Physical review letters, 99 (5) (2007) 055501
• M. Itoh, G. Bell, A. Avery, T. Jones, B. Joyce, and D. Vvedensky: Physical review letters, 81 (3) (1998) 633
• M. Itoh, G. R. Bell, B. A. Joyce, and D. D. Vvedensky: Surface Science, 464 (2-3) (2000) 200

タイトルに関連する用語 (9件)： 半導体結晶成長 ,  その場観察 ,  InAs ,  GaAs ,  表面再構成 ,  組成 ,  ゆらぎ ,  量子ドット ,  核形成