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J-GLOBAL ID:201502214251599830   整理番号:15A0698674

高移動度を有する硫黄架橋N字型屈曲パイ共役系化合物群(2):デバイス熱耐久性ならび集合体構造の温度依存性

著者 (15件):
資料名:
巻: 95th  号:ページ: 1107  発行年: 2015年03月11日 
JST資料番号: S0493A  ISSN: 0285-7626  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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有機トランジスタの実用化に向けては,大気,熱やバイアスなどの環境下で耐久性を有する有機半導体材料の開発が求められる。このような観点から,我々は,N字型パイ電子コアDNBDTを有する有機半導体を開発し,200°Cでのデバイスの熱ストレス耐久性試験において,トランジスタ動作する有望な材料であることを見いだしている。本研究では,実用的な観点で求められるより厳しい評価法であるデバイスの熱耐久性試験について検討し,200°Cの環境下においても駆動する新たなN字型パイ電子コアDNNDTの開発に世界にさきがけて成功した。微結晶粉末および単結晶薄膜状態での集合体構造の温度依存を明らかにしたので報告する。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
重合反応一般  ,  有機化合物の薄膜 

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