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J-GLOBAL ID：201602202947994017   整理番号：16A0282156

RF-MBE法により作製したEu添加立方晶及び六方晶GaN薄膜の結晶構造の蛍光X線ホログラフィーによる評価

著者 (8件)： 弓達新治 (愛媛大 工) ,  北村優天 (愛媛大 工) ,  小山裕生 (愛媛大 工) ,  宮田晃 (愛媛大 工) ,  白方祥 (愛媛大 工) ,  八方直久 (広島市大 大学院) ,  細川伸也 (熊本大 大学院) ,  林好一 (名古屋工大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.20P-S223-14  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MBE成長 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  半導体薄膜 ,  *結晶構造 ,  *X線ホログラフィー ,  蛍光 ,  固有X線 ,  立方晶系 ,  六方晶系
準シソーラス用語： *蛍光X線ホログラフィー

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (10件)： RF-MBE ,  作製 ,  Eu ,  立方晶 ,  六方晶 ,  GaN ,  薄膜 ,  結晶構造 ,  蛍光X線ホログラフィー ,  評価