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J-GLOBAL ID:201602221041085847   整理番号:16A0726476

RFプラズマ支援分子ビームエピタクシーにより成長させたEuドープGaNナノカラムのEu濃度依存性【Powered by NICT】

Eu concentration dependence of Eu doped GaN nanocolumns grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy
著者 (8件):
資料名:
巻: 2016  号: CSW  ページ:発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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EuドープGaN(GaN:Eu)は発光波長の鋭い線発光と熱安定性を示した。光学特性を改善するために,GaN:Euナノカラムを,RFプラズマ支援分子ビームエピタクシーによる高結晶品質のGaNナノコラムプラットフォーム上に成長させた。Eu濃度の増加は多結晶成長をもたらすことが明らかになったが,Eu~3+単調からの光ルミネセンス(PL)強度は濃度消光,ナノコラム結晶は,GaN:Euを用いた新しい光デバイスを開発するための貴重な方法であることを示唆しないEu濃度の増加と共に増加した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
通信理論一般  ,  技術教育  ,  図形・画像処理一般 

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