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J-GLOBAL ID：201602237365467092   整理番号：16A0684605

AlGaN/GaN MIS-HEMT用のLPCVD-SiN_xゲート誘電体とIII窒化物の間の界面の研究

Investigation of the interface between LPCVD-SiN_x gate dielectric and III-nitride for AlGaN/GaN MIS-HEMTs

著者 (15件)： Liu Zhaoyang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Huang Sen (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Bao Qilong (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wang Xinhua (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wei Ke (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Jiang Haojie (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Cui Hushan (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Li Junfeng (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Zhao Chao (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Liu Xinyu (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Zhang Jinhan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Zhou Qi (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Chen Wanjun (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Zhang Bo (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Jia Lifang (Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd., Hangzhou 310000, China)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 34  号： 4  ページ： 041202-041202-6  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧化学蒸着(LPCVD)により成長した窒化シリコン(SiN_x)ゲート誘電体とIII窒化物ヘテロ構造の間の界面を,AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスタ(HEMT)と金属-絶縁体-半導体HEMT(MIS-HEMT)を系統的に比較して研究した。650°Cで成長した20nm LPCVD-SiN_xは,12MV/cmの高い破壊E場とGaNに対して2.75eVの大きい伝導バンドオフセットに特徴がある。高いオン/オフ電流比(~10¹⁰)及び破壊電圧(~878V)は,ゲート誘電体と不動態誘電体両方にLPCVD-SiN_x層を使って実現した。すべての中で最も重要ことに,LPCVD-SiN_xは/III窒化物界面に2.6×10¹³cm^-2の正固定電荷が存在することを,パルス移動特性評価とエネルギーバンドシミュレーションにより明らかにした。LPCVD-SiN_x/III窒化物界面のトラップ密度も実験により決定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  素子構造 ,  *MIS構造 ,  *HEMT ,  LPCVD ,  *窒化ケイ素 ,  *絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  表面構造 ,  バンドオフセット ,  電圧 ,  不動態皮膜 ,  捕獲中心 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *ゲート誘電体 ,  ヘテロ構造 ,  界面構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  破壊電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  HEMT ,  LPCVD ,  ゲート誘電体 ,  窒化物 ,  界面 ,  研究