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J-GLOBAL ID：201602290740078387   整理番号：16A1340878

シンクロトロンX線回折による高圧かつ高温下でのa-C:H及びa-C:H:Si膜の構造解析

Structural analysis of a-C:H and a-C:H:Si films under high-pressure and high-temperature by synchrotron X-ray diffraction

著者 (6件)： Hirayama Tomoko (Dept. of Mechanical Engineering, Doshisha University, 1-3 Miyakodani, Tatara, Kyotanabe, Kyoto 610-0394, Japan) ,  Hirayama Tomoko (PRESTO, Japan Science and Technology Agency, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan) ,  Eguchi Yuri (Graduate School of Science and Engineering, Doshisha University, 1-3 Miyakodani, Tatara, Kyotanabe, Kyoto 610-0394, Japan) ,  Saeki Koichi (Graduate School of Science and Engineering, Doshisha University, 1-3 Miyakodani, Tatara, Kyotanabe, Kyoto 610-0394, Japan) ,  Matsuoka Takashi (Dept. of Mechanical Engineering, Doshisha University, 1-3 Miyakodani, Tatara, Kyotanabe, Kyoto 610-0394, Japan) ,  Kikegawa Takumi (Condenced Matter Research Center, High Energy Accelerator Research Organization, 1-1 Oho, Tsukuba, Ibaraki 305-0801, Japan)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 70  ページ： 83-90  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質炭素膜は高硬度,表面平滑性,及び低摩擦を含む,いくつかの優れた摺動特性をもっている。摺動条件下では,これらの表面は一般に高い温度と圧力に曝露されている。非晶質炭素膜の構造は高い温度と圧力でおそらく変化を受けるであろうが,膜のこのような構造的変化に関する報告はなかった。これらの構造的変化についての情報を得るために,シンクロトロンX線回折を用いて非晶質炭素膜,a-C:Hとa-C:H:Siを高温及び高圧条件下で解析した。室温及び約200°Cの高温のKEKのPF-AR NESCビームライン中に設置した多重アンビルプレスで加圧した膜にシンクロトロンX線回折を応用した。得られた散乱強度プロフィルのFourier変換で誘導した対分布関数は両膜に対するsp²/sp³比が圧力の増大につれて減少すること,またa-C:H膜に対するsp²/sp³比は温度の増大につれて増大することを示した。このことは高圧がa-C:H及びa-C:H:Si膜のsp³安定化の原因となりそして一方高温はa-C:H:Si膜にsp²遷移を引起すことを示すものである。a-C:H:Si膜についてのsp²/sp³比はa-C:H:Siの高い熱酸化安定性から高温でも大きくは変化しなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *DLC膜 ,  ケイ素 ,  非晶質 ,  化学蒸着 ,  イオン注入 ,  *結晶構造解析 ,  *高温 ,  *高圧 ,  X線回折 ,  行政機関 ,  試料セル ,  アンビル ,  加圧 ,  散乱光 ,  Fourier変換 ,  分布関数 ,  温度依存性 ,  圧力効果 ,  *電子配置 ,  軌道 ,  硬度 ,  表面粗さ ,  摩擦係数 ,  熱安定性
準シソーラス用語： *a-C:H膜 ,  *a-C:HSi膜 ,  *シンクロトロンX線回折 ,  KEK ,  *対分布関数 ,  混成軌道

著者キーワード (8件)： a-C:H ,  a-C:H:Si ,  Structural analysis ,  Synchrotron X-ray diffraction ,  High temperature ,  High pressure ,  Pair distribution function ,  sp²/sp³ ratio

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  非金属元素とその化合物の結晶構造  (BK07010N) ,  X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (4件)： シンクロトロンX線回折 ,  高圧 ,  Si膜 ,  構造解析