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J-GLOBAL ID:201602292091470180   整理番号:16A1286048

InGaP/GaAs及びSi結晶の「スマートスタック」三重接合細胞【Powered by NICT】

A “smart stack” triple-junction cell consisting of InGaP/GaAs and crystalline Si
著者 (9件):
資料名:
巻: 2016  号: PVSC  ページ: 1923-1925  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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スマートスタックは結合メディエータとしてPdナノ粒子アレイを用いた太陽電池の異なるタイプの相互接続による多重接合タンデムを構築する簡易方法である。本研究では,三重接合セルはスマートスタック法を用いたInGaP/GaAsと結晶性Siサブセル,これは23.2%の変換効率をもたらしたから作製した。スマートスタックセルのEQE解析も行い,高い効率はサブセル間の良好な電流整合を介して実現可能であることを示唆した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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パターン認識  ,  信号理論 

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